碳化硅具有优良的热力学和电化热性能,随着生产成本的降低,第一、二代的半导体正逐步被碳化硅所取代。目前,碳化硅是发展最成熟的第三代半导体原料。第三代半导体与前两代环节一样,主要分为设备、材料、晶圆、制造代工、封测、芯片、器件等。

在半导体行业,碳化硅粉特有的高电子迁移率、高击穿电场和优异的热导率,使得它成为制造高频、大功率、高温和抗辐射电子器件的理想材料。例如,制造二极管和晶体管,能够显著提升电力电子系统的效率,降低能耗。
碳化硅的主要用途为制造衬底晶片和外延片。将高纯度碳化硅粉体在特殊工艺下生成碳化硅晶体,通过切割、研磨、抛光、清洗等工序,制成碳化硅衬底晶片。碳化硅衬底晶片经过外延生长、器件制造等环节,可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件。所以碳化硅衬底晶片是半导体产业的基础材料,也是发展的核心。

高纯度的碳化硅粉可达到N6级别,即纯度为99.9999%。碳化硅的物理性能优越,具有高电导率、高热导率、高禁带宽度、低通损耗,适用于半导体领域高功率半导体器件的制造。可见,碳化硅成为第三代半导体材料的典型代表也是无可厚非的。
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